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美光揭次世代 DRAM 藍圖:導入晶圓鍵合、High-NA EUV,推進 vHBM、vEIM 布局

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美光揭次世代 DRAM 藍圖:導入晶圓鍵合、High-NA EUV,推進 vHBM、vEIM 布局

科技新報 TechNews · 2026年10月27日 10:57 UTC

記憶體大廠美光先前宣布跳過 4F² DRAM 電路單元架構,但從技術藍圖移除後,公司必須採用不同方法來推進 D […]